中兴通讯携手高通推进TD-LTE产业进程

      2011年5月26日，工信部正式下达《关于同意四家企业进入TD-LTE规模技术试验和试验城市安排的通知》，表明高通芯片正式通过“2x2”测试，进入TD-LTE七城市规模技术试验。参与本次测试的数据卡产品MF820T由中兴通讯提供，在所有测试中各项指标均名列前茅。

      中兴MF820T采用高通MDM9200芯片平台，支持LTE TDD 2.6G/2.3G频段，凭借强大的天线自主设计能力，中兴MF820T产品尺寸仅为91x34x13.5mm，重量仅40g，与同类产品性相比要更小巧、轻薄，同时，通过优化结构与温度控制，最大程度的减少了LTE及多模技术的高功耗产生的发热问题。

      对于此次测试，中兴通讯移动宽带产品线副总经理张亮表示：“中兴自2009年起和高通在LTE领域建立了战略合作伙伴关系，是其全球最早EAP的成员。由于LTE和3G/2G会长期共存，在网络建设初期只能覆盖少数热点，因此，多模要求成为全球各运营商对LTE终端的基本要求，而高通恰恰是全球为数不多的提供多模能力的芯片厂商之一。我们终端所选择的高通平台，能够提供LTE TDD/FDD以及3G/2G多模的技术能力，甚至未来可以支持包括TD-SCDMA的多模，这对于中国的TD-LTE规模商用和TD-SCDMA的平滑演进非常有帮助。我们相信凭借高通业界领先的技术能力和中兴对客户需求的深刻理解，双方能够为中国TD-LTE产业的腾飞做出应有的贡献。”

      通过工信部实验室和外场测试只是终端走向商用的第一步，中兴后期将紧跟中国移动及全球TD-LTE的产业节奏，通过和高通密切合作，提供包括数据卡、模块、CPE、uFi、平板电脑和智能手机等全系列终端，确保从规模技术试验顺利过渡到规模商用。