SK海力士宣布推出4D NAND闪存

SK海力士宣布推出4D NAND闪存

news.imobile.com.cn true http://news.imobile.com.cn/articles/2018/0810/188648.shtml report 1684

iMobile手机之家,8月10日消息        近日,在美国举行的Flash Memory Summit上,SK海力士除了讲解了CTF(电荷捕获型)与Floating Gate(浮栅型)两种技术路线的差别,还宣布推出自家4D闪存。

图片来源于网络

根据现场的技术演示文档,基于CTF的4D NAND将外围电路放置在了存储单元下方,在芯片面积、成本控制方面会有更大的优势。

图片来源于网络

而性能表现方面,目前第一款4D NAND型号为V5 512Gb TLC,芯片面积11.5mm*13mm,采用了96层堆叠,I/O速度达到1.2Gbps,预计将会在今年第4季度出样,性能相比于V4 3D有明显提升,在面积减小20%的前提下读写速度分别提升了30%和25%。

图片来源于网络

BGA封装TLC颗粒容量可以达到1Tb(128GB),模组最大支持2TB,在2.5寸规格的U.2中可以做到64TB,预计将于2019年前半年出样。

来源: 手机之家

微博评论

之家评论

热门手机排行榜

  1. 4vivo X21¥3198
  2. 5一加 6¥3199
  3. 6华为 P20 Pro¥4988
  4. 8小米 6X¥1999
  5. 9华为 荣耀10¥2599
  6. 10魅族 15¥2499

© 2002-2016 imobile.com.cn 手机之家 所有权利保留 违法和不良信息举报电话:18600380067

京ICP备09079639号 京ICP证090349号 电信业务审批[2009]字第281号 京公网安备 11010502030387号