SK海力士宣布推出4D NAND闪存

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iMobile手机之家,8月10日消息        近日,在美国举行的Flash Memory Summit上,SK海力士除了讲解了CTF(电荷捕获型)与Floating Gate(浮栅型)两种技术路线的差别,还宣布推出自家4D闪存。

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根据现场的技术演示文档,基于CTF的4D NAND将外围电路放置在了存储单元下方,在芯片面积、成本控制方面会有更大的优势。

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而性能表现方面,目前第一款4D NAND型号为V5 512Gb TLC,芯片面积11.5mm*13mm,采用了96层堆叠,I/O速度达到1.2Gbps,预计将会在今年第4季度出样,性能相比于V4 3D有明显提升,在面积减小20%的前提下读写速度分别提升了30%和25%。

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BGA封装TLC颗粒容量可以达到1Tb(128GB),模组最大支持2TB,在2.5寸规格的U.2中可以做到64TB,预计将于2019年前半年出样。

来源: 手机之家

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