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这款8GB LPDDR4 移动DRAM可以提高应用的速度,支持更高的分辨率,更长的电池待机时间等等。因为采用全新的低电压摆幅终端逻辑(LVSTL)I/O接口,数据传输高达3200Mbps。这比当前量产的20纳米制式的LPDDR3 DRAM要快2倍,LPDDR4的表现性能比目前最快的DDR3存储要高50%,工作电压1.1伏时,能耗仅为40%。
很明显这款存储芯片是为三星旗下的高端设备产品设计,2014年发布的三星智能手机肯定会配备这款高性能存储芯片。三星移动设备内存的历程还是非常令人惊讶的,下面是三星内存这些年的生机换代历程: