转自：盖乐世社区
去年11月份，美国高通公司宣布与三星电子合作共同开发下一代骁龙835处理器，最大特色是采用10纳米制程工艺打造，高通方面表示，由于采用全新的10纳米制程工艺，骁龙835处理器将具备更低的功耗以及更高性能，从而提升移动设备的用户体验。
除此之外，借助10纳米工艺制程，高通骁龙835处理器具备更小的SoC尺寸，让OEM厂商可以进一步优化移动设备的机身内部结构，比如增加电池或是实现更轻薄的设计等等。此外，制程工艺的提升也会改善电池续航能力。
通过已经的介绍，里外都透漏着拥有10nm制成的高通骁龙835在性能和能耗上是多么的屌炸天！
而又有多少人知道什么是工艺制成呢？
CPU制作工艺指的是在生产CPU过程中，要加工各种电路和电子元件，制造导线连接各个元器件等。现在其生产的精度以纳米（以前用微米）来表示，精度越高，生产工艺越先进。在同样的材料中可以容纳更多的电子元晶圆局部 件，连接线也越细，有利于提高CPU的集成度。制造工艺的纳米数是指IC内电路与电路之间的距离。制造工艺的趋势是向密集度愈高的方向发展，密度愈高的IC电路设计，意味着在同样大小面积的IC中，可以拥有密度更高、功能更复杂的电路设计。微电子技术的发展与进步，主要是靠工艺技术的不断改进。
芯片制造工艺从1971年开始，经历了10微米、6微米、3微米、1.5微米、1微米、800纳米、600纳米、350纳米、250纳米、180纳米、130纳米、90纳米、65纳米、45纳米、32纳米、22纳米，一直发展到目前2015年的14纳米，而最先进的10纳米也来到我们身边。
前一段时间，搭载高通骁龙835处理器的三星Galaxy S8/S8+正式发布，而作为安卓阵营中的机皇其性能表现到底有多横呢？下面就来通过跑分测试一起来看一下吧。
安兔兔评测
首先，先来进行安兔兔评测跑分测试，而就在2月份，安兔兔公布了手机性能排行榜TOP10，其中苹果iPhone 7 Plus稳居榜首（184981分），iPhone 7（175805分）和一加手机3T（163044分）则仍然分别位居第二和第三。
但是需要注意的是，这个得分是在最理想的情况下的得分。实际机型，并不会有如此高的跑分。就拿Phone 7 Plus举例，实测只有150255分，比安兔兔官方公布的跑分少了3万分。
而三星Galaxy S8+在实测中的跑分如果在最理想的情况下，跑出的分数会更吓人。
Geekbench 4
然后又进行了Geekbench 4跑分测试，Geekbench 4测试软件分别测试出高通835的单核性能和多核性能，单核分数考研的是CPU最强核心的绝对性能，而多核心得分更多的是考验多核心处理性能以及频率的稳定性。当然两组的分都是越大越好。
如图所示，单核分为1921，多核得分为5634分。从Geekbench 4数据库的排行来看，单核心性能和多核心性能均是最高。
Geekbench 3单核分为1768，多核得分为5601分。
3DMark
3DMark是最权威的图形测试软件，极限测试手机GPU的性能，能够全面的测试包括多渲染目标、即时渲染、统一缓冲、转换反馈，体积光照等在内的各方面性能。
得分方面，三星Galaxy S8+的3DMark 得分为2177分，达到了移动端的顶级水平。
在性能方面，三星Galaxy S8+搭载的10nm的高通骁龙835十分强悍，并且稳稳的超过了iPhone 7 Plus所搭载的A10处理器，可以称为目前安卓阵营中真正的机皇，而10nm工艺带来的优势，不仅仅是性能上的提升，能耗比才是重中之重。
除此以外，还进一步对三星Galaxy S8+的内存读取速度进行了测试，运行的测试软件是AndroBench测试，下面来看看结果吧。
AndroBench是一个基准测试应用程序，可以衡量你的Android设备的存储性能。 AndroBench提供两种方式，第一种可以快速与其他设备的存储进行比较。第二种 SQLite可以查询数据库表。
通过测试截图可以看出读取速度为744.56MB/s，写入速度为155.84MB/s。
