iMobile手机之家，7月11日消息 日前，作为闪存巨头的三星官方宣布已经开始大规模生产第五代闪存颗粒——V-NAND，第五代闪存将会首次采用Toggle DDR4.0接口，而内存与闪存间传输速度最高能达到1.4Gbps，相比上一代产品增加40%。
与之前产品类似的是，第五代V-NAND闪存同样采用CTF（charge trap flash）工艺，只是堆叠层由上一代产品的64层增加到超过90层。新产品的能效表现会更好，工作电压从1.8V降低到了1.2V。
同时，第五代V-NAND的读写性能都有加强，写入速度相比上一代提高约30%，达到500μs（单页写入时间），而读取速度速度也有所提升，单页读取时间减少到50μs。
可以预见，三星闪存颗粒的升级将会给之后采用的设备带来更好的表现，而其中就包括我们所期待的新一代旗舰智能手机产品。
来源: 手机之家
