三星第五代V-NAND闪存开始大规模量产

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iMobile手机之家,7月11日消息     日前,作为闪存巨头的三星官方宣布已经开始大规模生产第五代闪存颗粒——V-NAND,第五代闪存将会首次采用Toggle DDR4.0接口,而内存与闪存间传输速度最高能达到1.4Gbps,相比上一代产品增加40%。

与之前产品类似的是,第五代V-NAND闪存同样采用CTF(charge trap flash)工艺,只是堆叠层由上一代产品的64层增加到超过90层。新产品的能效表现会更好,工作电压从1.8V降低到了1.2V。

同时,第五代V-NAND的读写性能都有加强,写入速度相比上一代提高约30%,达到500μs(单页写入时间),而读取速度速度也有所提升,单页读取时间减少到50μs。

可以预见,三星闪存颗粒的升级将会给之后采用的设备带来更好的表现,而其中就包括我们所期待的新一代旗舰智能手机产品。

来源: 手机之家

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