三星第五代V-NAND闪存开始大规模量产

news.imobile.com.cn true http://news.imobile.com.cn/articles/2018/0711/188094.shtml report 1353

iMobile手机之家,7月11日消息     日前,作为闪存巨头的三星官方宣布已经开始大规模生产第五代闪存颗粒——V-NAND,第五代闪存将会首次采用Toggle DDR4.0接口,而内存与闪存间传输速度最高能达到1.4Gbps,相比上一代产品增加40%。

与之前产品类似的是,第五代V-NAND闪存同样采用CTF(charge trap flash)工艺,只是堆叠层由上一代产品的64层增加到超过90层。新产品的能效表现会更好,工作电压从1.8V降低到了1.2V。

同时,第五代V-NAND的读写性能都有加强,写入速度相比上一代提高约30%,达到500μs(单页写入时间),而读取速度速度也有所提升,单页读取时间减少到50μs。

可以预见,三星闪存颗粒的升级将会给之后采用的设备带来更好的表现,而其中就包括我们所期待的新一代旗舰智能手机产品。

来源: 手机之家

微博评论

之家评论

热门手机排行榜

  1. 4vivo X21¥3198
  2. 5一加 6¥3199
  3. 6华为 P20 Pro¥4988
  4. 8小米 6X¥1999
  5. 9华为 荣耀10¥2599
  6. 10魅族 15¥2499

© 2002-2016 imobile.com.cn 手机之家 所有权利保留 违法和不良信息举报电话:18600380067

京ICP备09079639号 京ICP证090349号 电信业务审批[2009]字第281号 京公网安备 11010502030387号