2018年10月10日-12日，以“+智能，见未来”为主题的华为全联接大会在上海世博展览馆中心召开。作为全球领先的数据与科技厂商，西部数据受邀参会，向业界展示了其在人工智能移动化、智慧城市、智慧运输、边缘计算和企业云五个方面的存储解决方案。并且带来了全球首发的96层3D NAND UFS2.1嵌入式闪存盘，旨在加速实现人工智能(AI)、增强现实(AR)、支持多个摄像头的高分辨率摄影、4K视频采集以及其他面向高端手机及计算设备的高要求应用。
在西部数据的人工智能移动化展区，我们也看到了其着重展示的这款西部数据最新发布的iNAND MC EU321嵌入式闪存盘。该产品采用先进的UFS 2.1接口以及西部数据公司iNAND SmartSLC 5.1架构，确保设备使用存储容量接近98%时，EU321同样可以保持巅峰的写入性能，基于SLC缓冲区和TLC存储区在SmartSLC Gen 5.1架构下顺序写入速度为550MB/s，随机IOPS写速度达到52K，其性能适用于高端旗舰手机机型，容量从32GB到256GB。96层3D NAND UFS2.1嵌入式闪存盘的核心技术改进了数据碎片收集和整理，相较于传统架构速度优势非常明显。
据展区现场的工作人员介绍，iNAND MC EU321的厉害之处主要还是集中在iNAND SmartSLC 5.1缓存架构上，西数通过在TLC和内存数据操作之间设置一个SLC buffer层，通过SLC的缓冲达到非常高的爆发式访问性能，数据缓存下来之后，通过西数在固件中写好的算法机制，闪存会自动对TLC的数据块进行整理，在减少碎片化的同时把SLC缓存里的数据写入到TLC里。与此同时，因为有这样一个SLC缓存架构存在，西部数据的NAND闪存盘更不容易出现那种固态存储比较容易出现的满写性能急剧滑坡。一般来说，闪存往往在写满80%~90%的时候顺序写入性能就会发生断崖式下降，甚至可能会比正常情况下下降超过一半多，而iNAND MC EU321则到98%写满的时候才会出现大概20%的性能损耗。
随着智能手机、平板电脑、个人电脑以及物联网设备支持全新的应用程序和服务，消费者与家人、朋友及周围世界的沟通方式正在发生改变。多镜头高分辨率相机、人工智能、增强现实和虚拟现实、机器学习以及深度学习都离不开高速且低延迟的数据访问。西部数据公司为设备制造商、芯片组生产商以及整个移动生态系统提供支持，帮助他们打造优质的产品和服务，为移动用户提供身临其境的全新体验。西部数据公司推出的iNAND 嵌入式闪存驱动器(EFD)拥有丰富的产品种类，可帮助OEM应对高低不同层次的市场需求。西部数据公司支持最新的UFS工业标准接口，便于OEM和应用程序开发人员进行相应的设计并打造顶级体验。此外，iNAND业界领先的写入速度可满足高分辨率摄影和视频的需求。
此次，西部数据除了展示iNAND MC EU321嵌入式闪存盘外，也展示了其他几款产品。iNAND MC EU311a集成UFS 2.1接口，可支持需要出色读/写性能的应用，如多镜头高分辨率相机、慢动作视频、增强现实和虚拟现实、人工智能、机器学习以及深度学习。第五代SmartSLC技术能够为数据密集型高端和旗舰移动设备提供超强写性能，打造出色移动体验。
iNAND MC EM131b 集成第四代 SmartSLC 技术，并经过优化，性能超强，持久耐用。集成式e.MMC接口可用于中高端智能手机以及二合一、可拆卸式轻薄计算设备，进行照片和视频拍摄、游戏和快速文件传输。 iNAND® CL EM122c是一款商业级e.MMC 闪存驱动器，非常适合工业应用，在各种工作环境下均可靠耐用。 iNAND® MC EM111d 集成第二代 SmartSLC 技术，通过提升顺序写入速度来平滑地记录4K和UHD视频。
NAND闪存容量将在2017-2021迎来健康的28%复合年增长率。这个增长主要来自成熟的平板用户升级到大屏、高容量、并具有更强大功能和连接性的产品，西部数据作为全球全球领先的数据与科技厂商离数据更近，也更了解数据可以带给用户多大的商业价值，并积极主动地进行战略和技术部署，与行业用户一同努力进行技术研发提供行业中最佳的解决方案。
无论是人工智能、边缘计算、企业级云计算或是智慧城市，每天都会产生海量的数据，特别是现在数字信息化、智能化发展的大背景下，为用户充分释放数据价值驱动行业应用，是西部数据存储变革的重中之重。正如西部数据所言“推动数据繁荣，缔造辉煌成就”一样，未来，西部数据将继续努力，为行业与专业领域用户提供帮助，开创全新智慧未来。
