三星宣布量产10nm芯片：性能提高27%
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据外媒报道，三星今日正式宣布，已经开始批量生产具有10nm FinFET技术的SoC芯片，并且将于2017年发布搭载10nm工艺新品的产品。这也是业界率先突破的公司。
据悉，10nm FinFET采用了先机的3D晶体管结构，与14nm晶体管相比，面积效率提升30%，性能提高27%，功耗降低40％。
另外，三星表示，明年下半年将批量生产第二代10nm处理器。
来源: 手机之家
据外媒报道，三星今日正式宣布，已经开始批量生产具有10nm FinFET技术的SoC芯片，并且将于2017年发布搭载10nm工艺新品的产品。这也是业界率先突破的公司。
据悉，10nm FinFET采用了先机的3D晶体管结构，与14nm晶体管相比，面积效率提升30%，性能提高27%，功耗降低40％。
另外，三星表示，明年下半年将批量生产第二代10nm处理器。
