三星FinFET专利技术被指侵权 将被起诉

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上个月高通将10nm制程芯片的订单交给了三星,而近日根据韩媒报道,韩国科学技术院(KAIST)指控三星侵犯其FinFET专利,并要向三星提起诉讼。KAIST表示,是他们开发了10nm FinFET工艺,而三星盗取了他们的开发成果,同时他们还认为高通、台积电也侵犯了其FinFET技术专利。

根据KAIST的说法,三星是在邀请FinFET技术开发者、首尔大学教授李钟浩(Lee Jong-ho)向三星公司工程师展示FinFET技术原理时,盗取了这项技术。而李钟浩是KAIST合伙人之一。

此外,KAIST称,英特尔已意识到他们才是FinFET技术的真正开发者,并取得了该项技术的授权。目前,三星方面并未出面回应此事。

来源: 手机之家

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