三星FinFET专利技术被指侵权 将被起诉

上个月高通将10nm制程芯片的订单交给了三星，而近日根据韩媒报道，韩国科学技术院(KAIST)指控三星侵犯其FinFET专利，并要向三星提起诉讼。KAIST表示，是他们开发了10nm FinFET工艺，而三星盗取了他们的开发成果，同时他们还认为高通、台积电也侵犯了其FinFET技术专利。

根据KAIST的说法，三星是在邀请FinFET技术开发者、首尔大学教授李钟浩(Lee Jong-ho)向三星公司工程师展示FinFET技术原理时，盗取了这项技术。而李钟浩是KAIST合伙人之一。

此外，KAIST称，英特尔已意识到他们才是FinFET技术的真正开发者，并取得了该项技术的授权。目前，三星方面并未出面回应此事。