三星FinFET专利技术被指侵权 将被起诉

news.imobile.com.cn true http://news.imobile.com.cn/articles/2016/1206/173912.shtml report 908

上个月高通将10nm制程芯片的订单交给了三星,而近日根据韩媒报道,韩国科学技术院(KAIST)指控三星侵犯其FinFET专利,并要向三星提起诉讼。KAIST表示,是他们开发了10nm FinFET工艺,而三星盗取了他们的开发成果,同时他们还认为高通、台积电也侵犯了其FinFET技术专利。

根据KAIST的说法,三星是在邀请FinFET技术开发者、首尔大学教授李钟浩(Lee Jong-ho)向三星公司工程师展示FinFET技术原理时,盗取了这项技术。而李钟浩是KAIST合伙人之一。

此外,KAIST称,英特尔已意识到他们才是FinFET技术的真正开发者,并取得了该项技术的授权。目前,三星方面并未出面回应此事。

来源: 手机之家

微博评论

之家评论

热门手机排行榜

  1. 1三星Galaxy S8¥5688
  2. 2vivo X20¥2599
  3. 3华OPPOR11¥2999
  4. 4vivo X20¥2998
  5. 5华为P10¥4288
  6. 6金立S10¥2599
  7. 9海信 H10¥2299

© 2002-2016 imobile.com.cn 手机之家 所有权利保留

京ICP备09079639号 京ICP证090349号 电信业务审批[2009]字第281号 京公网安备 11010502030387号