高通骁龙835规格全曝光 10纳米8核心

news.imobile.com.cn true http://news.imobile.com.cn/articles/2017/0103/174938.shtml report 1740 虽然高通骁龙835的原定发布日期是1月6日CES 2017开幕前夕,但外媒Videocardz已经提前拿到了高通的相关PPT。该PPT显示,骁龙835采用了高通自主Kyro 280架构,性能比骁龙821提升27%,功耗比骁龙801相降低50%。

虽然高通骁龙835的原定发布日期是1月6日CES 2017开幕前夕,但外媒Videocardz已经提前拿到了高通的相关PPT。该PPT显示,骁龙835采用了高通自主Kyro 280架构,性能比骁龙821提升27%,功耗比骁龙801相降低50%。

骁龙835采用10nm工艺制造,CPU从目前的Kyro 200升级到Kyro 280,配备4大4小核心,大核频率2.45GHz,2MB L2缓存,小核频率4x1.9GHz,1MB L2缓存。GPU则从Adreno 530升级到Adreno 540,ISP升级到Spectra 180,DSP也会从Hexagon 680升级到Hexagon 690,基带从X12 LTE升级到X16 LTE。

与上一代旗舰处理器相比,骁龙835的性能提升了27%。与骁龙801相比,功耗降低了50%。需要注意的是,降低50%功耗的比较对象并非骁龙821/820,而是骁龙801。

其他方面,骁龙835基带升级带X16 LTE,支持4x20载波,上下行分别支持Cat13、Cat16,速度最高可达1Gbps,是首款商业级千兆LTE调制解调器。此外,骁龙835的GPU还将支持DX12、Vulkan、OpenGL ES等规范,DPU将支持10bit 4K显示、VPU将支持4K HEVC 10bit解码等等。同时骁龙835还是首颗支持Win10桌面系统的ARM处理器,相关产品将在今年发布。

来源: 手机之家

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