重磅消息，今日Qualcomm Incorporated正式宣布，其子公司Qualcomm Technologies, Inc.（QTI）和三星电子有限公司延续双方十年之久的战略性晶圆代工合作，将采用三星10纳米FinFET制程工艺打造Qualcomm Technologies最新款顶级处理器——Qualcomm骁龙835处理器。
也就是说，高通将在下一代顶级处理器中采用三星先进制程，与台积电进行抗衡。同时Qualcomm Technologies. Inc.产品管理高级副总裁Keith Kressin还表示：“全新10纳米制程节点的采用，预计将使骁龙835处理器带来更低的功耗与更高的性能，同时也让我们能够增加诸多全新功能，从而提升未来的移动终端用户体验。”
今年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会显著提升电池续航。
目前，骁龙835已经投入生产，预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货。骁龙820/21处理器已经拥有超过200款设计发布或正在开发中，骁龙835正是其后续产品。
来源: 手机之家
